제이텍트코리아(주)
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VF - Series
모델명
시리즈
반도체용 열처리 장비 (Furnace)
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제품 상세 설명
VF-5700
| 본체지수 (mm) | 1250(w) × 3200(D) × 2850(H) |
| 히터 | 하이 파워 LGO 히터 (표준내경 : Ø 550mm) |
| 균열장(mm) | 500 |
| 웨이퍼 사이즈(mm) | 300 |
| 최대처리매수 | 50매 |
| I/O 포트 | 2 |
| Foup 스톡 | 12 |
| 웨이퍼 반송 | 매엽 + 5매 일괄 |
| 컨트롤러 | Model VSC1000 |
| 옵션 | 강제 냉각 시스템, N2 로드락, HOST통신 (GEM300), 스토커 리스 사양 |
| 용도 | 산화 및 확산, CVD 처리 |
| 처리품 | 실리콘, IGBT, 폴리이미드, 박형 웨이퍼 |
VF-5100
| 본체지수 (mm) | 1000(w) x 1850(D) x 3520(H) (8인치x150매) |
| 히터 | LGO 히터 |
| 균열장(mm) | 350~960 |
| 웨이퍼 사이즈(mm) | 4~8 inch |
| 최대처리매수 | 150매 |
| I/O 포트 | 1 |
| 카세트 스톡 | 4~8 |
| 웨이퍼 반송 | 매엽 + 5매 일괄 |
| 컨트롤러 | Model VSC1000 |
| 옵션 | 강제 냉각 시스템, N2 로드락, HOST통신 (GEM300), 박형 웨이퍼 대응, 웨이퍼 사이즈 겸용 가능 |
| 용도 | 산화 및 확산, CVD, 활성화 어닐 처리 |
| 처리대상 | 나이트라이드(SiN), 도프드 폴리실리콘(Si3N4) |
| 처리품 | 실리콘, IGBT, 폴리이미드, 박형 웨이퍼 |
VF-1000
| 본체지수 (mm) | 1500(w) x 1000(D) x 2100(H) (~8인치표준) |
| 히터 | LGO 히터 |
| 균열장(mm) | 160-250 |
| 웨이퍼 사이즈(mm) | ~8 inch |
| 최대처리매수 | 25매 |
| 컨트롤러 | Model 880 |
| 옵션 | 강제 냉각 시스템, N2 로드락, 25~100매 처리대응(VF-2000), 300mm 대응 |
| 용도 | 산화 및 확산(인(燐)확산, 붕소(Boron) 확산, 파이로제닉 산화, 웨트 산화, 드라이 산화, 어닐 처리 |
| 처리대상 | 옥시 염화인(POCI3), 삼브롬화붕소(BBr3) |
| 처리품 | 실리콘 웨이퍼 탄화 규소 소재(파워 디바이스향) |
VF-4000
| 본체지수 (mm) | 2000(w) x 2000(D) x 4350(H) (로체 치수) |
| 히터 | LGO 히터 |
| 사용 온도 범위 | 200~600℃ |
| 기판 사이즈 | 1300x1500 |
| 처리매수 | 20~25매 |
| 온도균일성 | ±3℃이하 |
| 챔버 재질 | 고순도 석영 |
| 컨트롤러 | Model VSC1000 |
| 옵션 | 강제 냉각 시스템, HOST통신(SECS/GEM) |
| 용도 | 콘택트 어닐, 포스트 베이크, 활성화 어닐 |
| 처리품 | 4.5G･5.5G 글래스 기판 |