Parallel STT-MRAM
모델명
-
자료
Data sheet-NETSOL-STT-MRAM-Parallel STT-MRAM-1Mb ~ 16Mb PPI MRAM M-die
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산업 자동화, 네트워크 시스템, 의료, 게임, 엔터프라이즈 데이터 센터 및 IoT 장치 등

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제조사
브랜드
-
SKU
140408
제품명
Parallel STT-MRAM
모델명
-
사이즈
-
중량
-
제품 상세 정보

Parallel STT-MRAM Products

NETSOL Parallel MRAM Products are ideal for applications that must store and retrieve data and programs quickly and frequently due to the non-volatility, virtually unlimited endurance and fast-write characteristics of STT-MRAM. 

They are suited for code storage, data logging, backup memory and working memory in industrial designs and can replace Low power SRAM, FeRAM or nvSRAM with same functionality and non-volatility. 

 

Key Features

  • 1Mb, 2Mb, 4Mb, 8Mb, 16Mb, 32Mb, 64Mb Density
  • Power Supply : 1.8V (1.71V ~ 1.98V)or 3.3V (2.7V ~ 3.6V)
  • Parallel asynchronous interface x16/x8 I/O
  • page read/write function for high performance
  • Data Retention : 10 years
  • Read Endurance : unlimited
  • Write Endurance : 1014
  • No external ECC required
  • Package Type : 48FBGA, 44TSOP2, 54TSOP2

 

Density
Part Number
Organization
VDD(V)
Access Time(ns)
Temperature
Package
Status
1M bit
S3R1016V1M
64Kx16
2.70~3.60
70ns
-40℃ to 85℃
44TSOP2, 48FBGA
Mass Prod.
S3R1008V1M
128Kx8
2.70~3.60
70ns
-40℃ to 85℃
44TSOP2, 48FBGA
Mass Prod.
1M bit
S3R1016R1M
64Kx16
1.71~1.98
70ns
-40℃ to 85℃
44TSOP2, 48FBGA
Mass Prod.
S3R1008R1M
128Kx8
1.71~1.98
70ns
-40℃ to 85℃
44TSOP2, 48FBGA
Mass Prod.
2M bit
S3R2016V1M
128Kx16
2.70~3.60
70ns
-40℃ to 85℃
44TSOP2, 48FBGA
Mass Prod.
S3R2008V1M
256Kx8
2.70~3.60
70ns
-40℃ to 85℃
44TSOP2, 48FBGA
Mass Prod.
2M bit
S3R2016R1M
128Kx16
1.71~1.98
70ns
-40℃ to 85℃
44TSOP2, 48FBGA
Mass Prod.
S3R2008R1M
256Kx8
1.71~1.98
70ns
-40℃ to 85℃
44TSOP2, 48FBGA
Mass Prod.
4M bit
S3R4016V1M
256Kx16
2.70~3.60
70ns
-40℃ to 85℃
44TSOP2, 48FBGA
Mass Prod.
S3R4008V1M
512Kx8
2.70~3.60
70ns
-40℃ to 85℃
44TSOP2, 48FBGA
Mass Prod.
4M bit
S3R4016R1M
256Kx16
1.71~1.98
70ns
-40℃ to 85℃
44TSOP2, 48FBGA
Mass Prod.
S3R4008R1M
512Kx8
1.71~1.98
70ns
-40℃ to 85℃
44TSOP2, 48FBGA
Mass Prod.
8M bit
S3R8016V1M
512Kx16
2.70~3.60
70ns
-40℃ to 85℃
48FBGA, 54TSOP2
Mass Prod.
S3R8008V1M
1Mx8
2.70~3.60
70ns
-40℃ to 85℃
44TSOP2, 48FBGA
Mass Prod.
8M bit
S3R8016R1M
512Kx16
1.71~1.98
70ns
-40℃ to 85℃
48FBGA, 54TSOP2
Mass Prod.
S3R8008R1M
1Mx8
1.71~1.98
70ns
-40℃ to 85℃
44TSOP2, 48FBGA
Mass Prod.
16M bit
S3R1616V1M
1Mx16
2.70~3.60
70ns
-40℃ to 85℃
48FBGA, 54TSOP2
Mass Prod.
S3R1608V1M
2Mx8
2.70~3.60
70ns
-40℃ to 85℃
44TSOP2, 48FBGA
Mass Prod.
16M bit
S3R1616R1M
1Mx16
1.71~1.98
70ns
-40℃ to 85℃
48FBGA, 54TSOP2
Mass Prod.
S3R1608R1M
2Mx8
1.71~1.98
70ns
-40℃ to 85℃
44TSOP2, 48FBGA
Mass Prod.
32M bit
S3R3216V1M
2Mx16
2.70~3.60
70ns
-40℃ to 85℃
48FBGA, 54TSOP2
UD*1
S3R3216R1M
2Mx16
1.71~1.98
70ns
-40℃ to 85℃
48FBGA, 54TSOP2
UD*1
64M bit
S3R6416V1M
4Mx16
2.70~3.60
70ns
-40℃ to 85℃
48FBGA
UD*1
S3R6416R1M
4Mx16
1.71~1.98
70ns
-40℃ to 85℃
48FBGA
UD*1

* 1 UD : Under Development

넷솔
산업 자동화, 네트워크 시스템, 의료, 게임, 엔터프라이즈 데이터 센터 및 IoT 장치 등
넷솔은 2010년 설립 이후 혁신적인 기술력을 바탕으로 성장하고 있는 팹리스 IC 디자인 및 마케팅 기업입니다. 차세대 메모리 반도체, 특히 STT-MRAM에서 세계 시장을 선도하고 있으며, 본사는 한국의 경기도에 있습니다. 메모리 관련 분야의 풍부한 개발 경험과 저비용, 초소형, 저전력 메모리 솔루션 설계에 대한 전문 지식을 기반으로 산업 자동화, 네트워크 시스템, 의료, 게임, 엔터프라이즈 데이터 센터 및 IoT 장치 등 광범위한 분야의 다양한 애플리케이션에 최적화된 고객 맞춤형 메모리 솔루션을 제공하고 있습니다.
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