Selex 300 Oxide Etch System은 ICP와 CCP의 특성을 결합한 ACP Source를 이용한 300mm Dry Etcher로서 산화막 Etch에서도 우수한 공정 특성을 나타낸다.
주로 후공정의 Contact Etch, Via Etch, Damascene Etch, Low-k 등 다양한 산화막 식각 공정에 사용이 가능하다.
Selex Metal Etch System은 고밀도 플라즈마 식각 공정이 가능한 ACP Type Source를 사용하여 왔으며 2003년 이래 200mm와 300mm DRAM과 Flash 메모리 반도체 팹에서 Al Metal Etch & W Etch 장비용으로 사용되어져 왔다.
3개의 main chamber와 1개의 PR Strip Chamber로 구성되어 있다. 고생산성의 경쟁력을 갖춘 장비로 자리 잡고 있다.
Polysilicon이나 Silicon을 주로 Etch하는 장비로서 차세대 20nm급 이하의 STI, DPT, Gate 등 미세 공정이 가능하도록 공정 균일도 향상기능, RF Pulsing 기능 등을 탑재하였다.
3 Main Chamber + 1 Strip Chamber로 구성되어 있으며 Poly 공정에서 문제 시 되는 공정 진행 후 오염발생(Fume) 후처리를 위한 배기 장치 등이 강화 되어 있다.